목차 01차시 : Photo 공정의 개요 02차시 : Track 구성/표면 처리/PR Spin Coating 03차시 : Soft bake/Alignment/Exposure 04차시 : PEB/Development/Hard bake/ADI 검사 05차시 : Resolution과 DOF/NA/광원과 파장 06차시 : Resolution 향상 방안 및 EUV/DPT/Q PT 07차시 : PSM/OPC 08차시 : Photo 현장 실무 09차시 : Photo 불량 사례 (1) 10차시 : Photo 불량 사례 (2) 11차시 : Etch 과정 개요와 Transister/CMOS Vertical 구조 12차시 : Etch 공정의 정의와 용어 13차시 : Etch 공정의 목적과 플라즈마의 개념 14차시 : 플라즈마의 생성과 특징 15차시 : 플라즈마의 종류와 응용, Dry Etch의 원리 16차시 : Dry 식각 방식의 이해와 요구사항 17차시 : Dry Etch 장비의 구조 18차시 : 건식 식각 공정 19차시 : 습식 식각 공정 20차시 : Etch 불량 사례와 Etch 엔지니어 실무
수료기준 수료기준 표로, 항목, 반영비율, 과락기준으로 구성되어 있습니다. 항목 반영 비율 과락기준 진도 100.0% 80 중간평가 0.0% - 최종평가 0.0% - 과제 0.0% - 수료기준 진도 : 80% 달성 (필수) 총점 : 80 점이상 (필수)