과정소개
[반도체실무과정] 8대공정 시리즈
[반도체실무과정] 8대공정 : 불순물 주입 및 확산 공정
![[반도체실무과정] 8대공정 : 불순물 주입 및 확산 공정의 이미지](https://cdn.hkeacademy.com/attach/crseimg/mig/230118142327.JPG)
온라인
초급
한경멤버스
-
학습기간
2025-07-01 ~ 2025-07-31 (30일)
-
복습기간
학습종료일로부터 12개월간
-
지원기기
PC/모바일
-
수료기준
총점 80점 (진도 80%) 자세히 보기
-
0점0점 (0)
56,848원(VAT 없음)
목차
- 01차시 : CMOS 소개와 Implant 용어 정리
- 02차시 : 이온 주입의 개요
- 03차시 : 이온 주입에 의한 농도분포
- 04차시 : Ion Implant Channeling
- 05차시 : 결함의 발생과 Annealing (1)
- 06차시 : 결함의 발생과 Annealing (2)
- 07차시 : 집적회로에의 응용
- 08차시 : Process Evaluation와 Technology Trend
- 09차시 : Diffusion의 개요
- 10차시 : 산화공정 개요
- 11차시 : Si/SiO₂ 계면과 산화막의 용도
- 12차시 : 산화 속도의 영향 요소와 SiO₂/Si 계면 전하
- 13차시 : 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건
- 14차시 : 확산의 정의
- 15차시 : ANNEAL
- 16차시 : 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형
수료기준
| 항목 | 반영 비율 | 과락기준 |
|---|---|---|
| 진도 | 100.0% | 80 |
| 중간평가 | 0.0% | - |
| 최종평가 | 0.0% | - |
| 과제 | 0.0% | - |
| 수료기준 |
|
|